APT6030BVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT6030BVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 21.0 A
极性 N-CH
耗散功率 298 W
输入电容 3.75 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3750pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 298000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT6030BVRG引脚图与封装图
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在线购买APT6030BVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT6030BVRG | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 600V 21A | 搜索库存 |
替代型号APT6030BVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT6030BVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 600V 21A 3.75nF | 当前型号 | TO-247 N-CH 600V 21A | 当前型号 |
| 型号： STW25NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 600V 21A | 功能相似 | N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | APT6030BVRG和STW25NM60ND的区别 |