APT20M38BVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20M38BVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 67.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 6.12 nF
栅电荷 225 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 6120pF @25VVds
额定功率Max 370 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT20M38BVRG引脚图与封装图
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在线购买APT20M38BVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20M38BVRG | Microsemi 美高森美 | APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247 | 搜索库存 |
替代型号APT20M38BVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT20M38BVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 200V 67A 6.12nF | 当前型号 | APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247 | 当前型号 |
| 型号： APT20M38BVR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 200V 67A | APT20M38BVRG和APT20M38BVR的区别 |
| 型号： APT20M38BVFR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 200V 67A | APT20M38BVRG和APT20M38BVFR的区别 |