APT6038BLLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT6038BLLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 17.0 A
极性 N-CH
耗散功率 265 W
输入电容 1.85 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 265 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 265000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT6038BLLG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT6038BLLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT6038BLLG | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 600V 17A | 搜索库存 |
替代型号APT6038BLLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT6038BLLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 600V 17A 1.85nF | 当前型号 | TO-247 N-CH 600V 17A | 当前型号 |
| 型号： APT6038BFLLG 品牌： 美高森美 封装： TO-247 N-CH 600V 17A 1.85nF | 完全替代 | TO-247 N-CH 600V 17A | APT6038BLLG和APT6038BFLLG的区别 |
| 型号： SPW11N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-247 N-CH 650V 11A 1.2nF | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | APT6038BLLG和SPW11N60C3的区别 |
| 型号： APT6038BFLL 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 600V 17A | APT6038BLLG和APT6038BFLL的区别 |