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APT20M45BVRG

APT20M45BVRG

数据手册.pdf

功率MOS V® POWER MOS V®

POWER MOS V®

POWER MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increase packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

FEATURES

• Faster switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche tested

• Popular TO-247 Package

• RoHS compliant


贸泽:
MOSFET Power MOSFET - MOS5


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Microsemi&s;s APT20M45BVRG power MOSFET. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This device utilizes power mos v technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247


APT20M45BVRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 56.0 A

漏源极电阻 45 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 4 V

输入电容 4.86 nF

栅电荷 195 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 56.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4860pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.31 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT20M45BVRG引脚图与封装图
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替代型号APT20M45BVRG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT20M45BVRG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-247 N-CH 200V 56A 4.86nF

当前型号

功率MOS V® POWER MOS V®

当前型号

型号: APT20M45BVR

品牌: 美高森美

封装: TO-247 N-CH 200V 56A

功能相似

功率MOS V® POWER MOS V®

APT20M45BVRG和APT20M45BVR的区别

型号: SML20B56

品牌: Semelab

封装:

功能相似

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

APT20M45BVRG和SML20B56的区别