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APT80GA60B

APT80GA60B

数据手册.pdf

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

This fast-switching IGBT transistor from will be perfect in your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 625000 mW. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT80GA60B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 625 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.31 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT80GA60B引脚图与封装图
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