APT17F100S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 625 W
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 4845pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
封装 TO-268-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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