APT14F100S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT14F100S中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 820 mΩ
耗散功率 500 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 3965pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT14F100S引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT14F100S | Microsemi 美高森美 | N沟道FREDFET 1000V ， 14A ， 1.00ヘ最大， TRR ÷ 240ns N-Channel FREDFET 1000V, 14A, 1.00ヘ Max, trr ÷240ns | 搜索库存 |