APT1003RKLLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT1003RKLLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 4.00 A
耗散功率 139W Tc
输入电容 694 pF
栅电荷 34.0 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
输入电容Ciss 694pF @25VVds
耗散功率Max 139W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT1003RKLLG引脚图与封装图
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在线购买APT1003RKLLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT1003RKLLG | Microsemi 美高森美 | 功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel | 搜索库存 |
替代型号APT1003RKLLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT1003RKLLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-220 1kV 4A 694pF | 当前型号 | 功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel | 当前型号 |
| 型号： APT1003RKFLLG 品牌： 美高森美 封装： TO-220 N-CH 1kV 4A 694pF | 功能相似 | TO-220 N-CH 1000V 4A | APT1003RKLLG和APT1003RKFLLG的区别 |