APT20SCD65K
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20SCD65K中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.8V @20A
耗散功率 114000 mW
反向恢复时间 0 ns
正向电流 32000 mA
正向电压Max 1.8V @20A
正向电流Max 32 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 114000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
高度 9.19 mm
封装 TO-220-2
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
APT20SCD65K引脚图与封装图
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在线购买APT20SCD65K
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20SCD65K | Microsemi 美高森美 | Diode Schottky 650V 32A 2Pin2+Tab TO-220 | 搜索库存 |
替代型号APT20SCD65K
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT20SCD65K 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-220-2 | 当前型号 | Diode Schottky 650V 32A 2Pin2+Tab TO-220 | 当前型号 |
| 型号： MBR10100G 品牌： 安森美 封装： TO-220-2 100V 10A 700mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBR10100G 肖特基整流器, 单, 100 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 800 mV | APT20SCD65K和MBR10100G的区别 |
| 型号： MBR1060G 品牌： 安森美 封装： TO-220-2 60V 10A 700mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBR1060G 肖特基整流器, 单, 60 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 800 mV | APT20SCD65K和MBR1060G的区别 |
| 型号： STPS8H100D 品牌： 意法半导体 封装： TO-220AC 100V 8A 560mV | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STPS8H100D 肖特基整流器, 单, 100 V, 8 A, TO-220AC, 2 引脚, 580 mV | APT20SCD65K和STPS8H100D的区别 |