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APT40GT60BRG

APT40GT60BRG

数据手册.pdf

迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from . It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 345000 mW. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.

APT40GT60BRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 80.0 A

耗散功率 345 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 345 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 345000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 21.46 mm

宽度 16.26 mm

高度 5.31 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT40GT60BRG引脚图与封装图
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替代型号APT40GT60BRG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT40GT60BRG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-247 600V 80A 345000mW

当前型号

迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

当前型号

型号: STGW39NC60VD

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 600V 40A 250000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  STGW39NC60VD  单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

APT40GT60BRG和STGW39NC60VD的区别

型号: STGY40NC60VD

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3 600V 50A 260000mW

功能相似

IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

APT40GT60BRG和STGY40NC60VD的区别

型号: STGW40NC60V

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 600V 50A 260000mW

功能相似

N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT

APT40GT60BRG和STGW40NC60V的区别