
额定电压DC 600 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 345 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 345 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 345000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 21.46 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APT40GT60BRG | Microsemi 美高森美 | 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: APT40GT60BRG 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-247 600V 80A 345000mW | 当前型号 | 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT | 当前型号 | |
型号: STGW39NC60VD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 600V 40A 250000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 | APT40GT60BRG和STGW39NC60VD的区别 | |
型号: STGY40NC60VD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247-3 600V 50A 260000mW | 功能相似 | IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | APT40GT60BRG和STGY40NC60VD的区别 | |
型号: STGW40NC60V 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 600V 50A 260000mW | 功能相似 | N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT | APT40GT60BRG和STGW40NC60V的区别 |