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APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G

数据手册.pdf

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

This IGBT transistor from is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive. Its maximum power dissipation is 195000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

APT15GN120BDQ1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 45.0 A

耗散功率 195000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 195 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT15GN120BDQ1G引脚图与封装图
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