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APT70GR65B

APT70GR65B

数据手册.pdf

Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW 3Pin3+Tab TO-247

This IGBT transistor from is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive.


艾睿:
This APT70GR65B IGBT transistor from Microsemi is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive.


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# MICROSEMI  APT70GR65B  MOSFET


APT70GR65B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 595000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 595 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 595000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT70GR65B引脚图与封装图
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APT70GR65B Microsemi 美高森美 Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW 3Pin3+Tab TO-247 搜索库存