A3P1000-FG484
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
A3P1000-FG484中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.425V ~ 1.575V
电源电压Max 1.575 V
电源电压Min 1.425 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 FBGA-484
外形尺寸
封装 FBGA-484
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
A3P1000-FG484引脚图与封装图
暂无图片
在线购买A3P1000-FG484
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| A3P1000-FG484 | Microsemi 美高森美 | 高容量 - 15 K至1M的系统门，高达144千比特的真双端口SRAM High Capacity - 15 k to 1 M System Gates, Up to 144 kbits of True Dual-Port SRAM | 搜索库存 |
替代型号A3P1000-FG484
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： A3P1000-FG484 品牌： Microsemi 美高森美 封装： FBGA | 当前型号 | 高容量 - 15 K至1M的系统门，高达144千比特的真双端口SRAM High Capacity - 15 k to 1 M System Gates, Up to 144 kbits of True Dual-Port SRAM | 当前型号 |
| 型号： A3P1000-FG484T 品牌： 美高森美 封装： FBGA | 完全替代 | FPGA ProASIC®3 Family 1M Gates 231MHz 130nm Technology 1.5V Automotive 484Pin FBGA | A3P1000-FG484和A3P1000-FG484T的区别 |