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APT7M120B

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by . Its maximum power dissipation is 335000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

APT7M120B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 7.10 A

极性 N-CH

耗散功率 335 W

输入电容 2.57 nF

栅电荷 80.0 nC

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2565pF @25VVds

额定功率Max 335 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 335W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT7M120B引脚图与封装图
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