APT9M100B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT9M100B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 9.00 A
极性 N-CH
耗散功率 335 W
输入电容 2.60 nF
栅电荷 80.0 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2605pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 335W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT9M100B引脚图与封装图
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