锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

APT50GN60BG

APT50GN60BG

数据手册.pdf

谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT

This IGBT transistor from is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 366000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. It is made in a single configuration.

APT50GN60BG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 107 A

耗散功率 366 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 366 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 366000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 21.46 mm

宽度 16.26 mm

高度 5.31 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT50GN60BG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT50GN60BG
型号 制造商 描述 购买
APT50GN60BG Microsemi 美高森美 谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT 搜索库存