APT15GT60BRDQ1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT15GT60BRDQ1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 42.0 A
耗散功率 184000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 184 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 184000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT15GT60BRDQ1G引脚图与封装图
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在线购买APT15GT60BRDQ1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT15GT60BRDQ1G | Microsemi 美高森美 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 搜索库存 |
替代型号APT15GT60BRDQ1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT15GT60BRDQ1G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 600V 42A 184000mW | 当前型号 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 当前型号 |
| 型号： STGW19NC60HD 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 140000mW | 功能相似 | STGW19NC60HD 系列 42 A 600 V 极快速 IGBT 带超快恢复二极管 - TO-247 | APT15GT60BRDQ1G和STGW19NC60HD的区别 |