APT11N80KC3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT11N80KC3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 156 W
输入电容 1.59 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
输入电容Ciss 1585pF @25VVds
额定功率Max 156 W
耗散功率Max 156W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT11N80KC3G引脚图与封装图
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在线购买APT11N80KC3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT11N80KC3G | Microsemi 美高森美 | TO-220AC N-CH 800V 11A | 搜索库存 |
替代型号APT11N80KC3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT11N80KC3G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-220 N-CH 800V 11A 1.59nF | 当前型号 | TO-220AC N-CH 800V 11A | 当前型号 |
| 型号： SPP11N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | APT11N80KC3G和SPP11N80C3的区别 |
| 型号： SPP11N80C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | APT11N80KC3G和SPP11N80C3XKSA1的区别 |