ATF-531P8-TR2
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AVAGO Technologies
安华高科
分立器件
ATF-531P8-TR2中文资料参数规格
技术参数
频率 2 GHz
额定电压DC 4.00 V
额定电流 300 mA
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 4.00 V
连续漏极电流Ids 300 mA
输出功率 24.5 dBm
增益 20 dB
测试电流 135 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LPCC-8
外形尺寸
封装 LPCC-8
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATF-531P8-TR2引脚图与封装图
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在线购买ATF-531P8-TR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATF-531P8-TR2 | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 搜索库存 |
替代型号ATF-531P8-TR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATF-531P8-TR2 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： LPCC 4V 135A 1W | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 当前型号 |
| 型号： ATF-531P8-TR1G 品牌： 博通 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, MO-229, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, LPCC-8 | ATF-531P8-TR2和ATF-531P8-TR1G的区别 |