ATF-58143-TR1G
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AVAGO Technologies
安华高科
主动器件
ATF-58143-TR1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 3.00 V
额定电流 30.0 A
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 3.00 V
连续漏极电流Ids 500 mA
增益 16.5 dB
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATF-58143-TR1G引脚图与封装图
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在线购买ATF-58143-TR1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATF-58143-TR1G | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | 搜索库存 |
替代型号ATF-58143-TR1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATF-58143-TR1G 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： SOT-343 3V 30A 500mW | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | 当前型号 |
| 型号： ATF-58143-BLKG 品牌： 安华高科 封装： SOT-343 | 类似代替 | IC PHEMT 2GHz 3V 30mA SOT-343 | ATF-58143-TR1G和ATF-58143-BLKG的区别 |