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AUIRF1010EZS

AUIRF1010EZS

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International Rectifier 国际整流器 分立器件

汽车 N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

汽车 N 通道功率 MOSFET,Infineon

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1010EZS, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK


AUIRF1010EZS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

产品系列 AUIRF1010EZS

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 2810pF @25VVds

额定功率Max 140 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AUIRF1010EZS引脚图与封装图
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AUIRF1010EZS International Rectifier 国际整流器 汽车 N 通道功率 MOSFET,Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存