ATP207-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
漏源极电阻 9.1 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 65.0 A
上升时间 290 ns
输入电容Ciss 2710pF @20VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 ATPAK-3
外形尺寸
封装 ATPAK-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATP207-TL-H引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ATP207-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATP207-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 65A,40V,N沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号ATP207-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATP207-TL-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： ATPAK-3 N-Channel 65A | 当前型号 | 65A,40V,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： ATP207-S-TL-H 品牌： 安森美 封装： ATPAK | 功能相似 | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK | ATP207-TL-H和ATP207-S-TL-H的区别 |