极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 10.7 ns
输入电容Ciss 3719pF @15VVds
下降时间 12.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
AON6718 | Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | DFN N-CH 30V 80A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: AON6718 品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装: | 当前型号 | DFN N-CH 30V 80A | 当前型号 | |
型号: IPB034N03LGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 N-Channel 30V 80A | 功能相似 | INFINEON IPB034N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V | AON6718和IPB034N03LGATMA1的区别 | |
型号: STU150N3LLH6 品牌: 意法半导体 封装: TO-251 N-Channel 30V 80A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STU150N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V | AON6718和STU150N3LLH6的区别 | |
型号: IPB05N03LB 品牌: 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 30V 80A 3.21nF | 功能相似 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | AON6718和IPB05N03LB的区别 |