AT-32011-TR2G
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AVAGO Technologies
安华高科
分立器件
AT-32011-TR2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 5.50 V
额定电流 32.0 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 5.5 V
增益 12.5dB ~ 14dB
最小电流放大倍数hFE 70 @2mA, 2.7V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
长度 3.06 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 TO-253-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AT-32011-TR2G引脚图与封装图
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在线购买AT-32011-TR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AT-32011-TR2G | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频RF双极晶体管 Transistor Si Low Current | 搜索库存 |
替代型号AT-32011-TR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AT-32011-TR2G 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： SOT-143 NPN 5.5V 32mA | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 Transistor Si Low Current | 当前型号 |
| 型号： AT-32011-TR1G 品牌： 安华高科 封装： SOT-143 NPN 5.5V 32mA 200mW | 完全替代 | 射频RF双极晶体管 Transistor Si Low Current | AT-32011-TR2G和AT-32011-TR1G的区别 |
| 型号： AT-32011-TR1 品牌： 安华高科 封装： SOT-143 5.5V 32mA | 完全替代 | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143 | AT-32011-TR2G和AT-32011-TR1的区别 |
| 型号： AT-32011-BLKG 品牌： 博通 封装： TO-253-4 200mW | 类似代替 | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.032A 4Pin3+Tab SOT-143 Bulk | AT-32011-TR2G和AT-32011-BLKG的区别 |