AT-41511-TR1G
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AVAGO Technologies
安华高科
分立器件
AT-41511-TR1G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 11dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数hFE 30
测试频率 2.4 GHz
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
封装 TO-253-4
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
AT-41511-TR1G引脚图与封装图
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在线购买AT-41511-TR1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AT-41511-TR1G | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 4Pin3+Tab SOT-143 T/R | 搜索库存 |
替代型号AT-41511-TR1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AT-41511-TR1G 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： SOT-143 | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 4Pin3+Tab SOT-143 T/R | 当前型号 |
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| 型号： AT-32011-TR2G 品牌： 安华高科 封装： SOT-143 NPN 5.5V 32mA | 类似代替 | 射频RF双极晶体管 Transistor Si Low Current | AT-41511-TR1G和AT-32011-TR2G的区别 |