频率 10000 MHz
额定电压DC 5.50 V
额定电流 32.0 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 5.5 V
增益 11dB ~ 12.5dB
最小电流放大倍数hFE 70 @2mA, 2.7V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AT-32033-TR1G | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.032A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AT-32033-TR1G 品牌: AVAGO Technologies 安华高科 封装: SOT-23 NPN 5.5V 32mA 200mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.032A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: AT-32033-TR2G 品牌: 安华高科 封装: SOT-23 NPN 5.5V 32mA | 完全替代 | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.032A 3Pin SOT-23 T/R | AT-32033-TR1G和AT-32033-TR2G的区别 | |
型号: AT-32033-BLKG 品牌: 安华高科 封装: SOT-23 NPN 5.5V 32mA 200mW | 类似代替 | 射频RF双极晶体管 Transistor Si Low Current | AT-32033-TR1G和AT-32033-BLKG的区别 | |
型号: AT-32033 品牌: 博通 封装: | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.032A IC, NPN | AT-32033-TR1G和AT-32033的区别 |