频率 2 GHz
额定电压DC 5.50 V
额定电流 145 mA
耗散功率 725 mW
输出功率 20 dBm
增益 17.5 dB
测试电流 60 mA
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-343
封装 SOT-343
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ATF-34143-TR1 | AVAGO Technologies 安华高科 | IC TRANS PHEMT 1.9GHz SOT-343 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ATF-34143-TR1 品牌: AVAGO Technologies 安华高科 封装: SOT-343 5.5V 118mA 725mW | 当前型号 | IC TRANS PHEMT 1.9GHz SOT-343 | 当前型号 | |
型号: ATF-34143-TR1G 品牌: 安华高科 封装: SOT-343 N-Channel 5.5V 118mA 725mW | 完全替代 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise | ATF-34143-TR1和ATF-34143-TR1G的区别 | |
型号: ATF-34143-BLKG 品牌: 博通 封装: SOT-343 725mW | 类似代替 | N 通道 HEMT,Avago Technologies高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结 FET)是结型 FET,利用两种材料,具有不同带隙(即异质结),用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型,具有 E-pHEMT 设备,正成为增强模式类型。### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 | ATF-34143-TR1和ATF-34143-BLKG的区别 |