ARF461AG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
ARF461AG中文资料参数规格
技术参数
频率 65 MHz
额定电流 25 μA
耗散功率 250000 mW
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 5 ns
输出功率 150 W
增益 15 dB
输入电容Ciss 1700pF @50VVds
下降时间 10.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
额定电压 1000 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ARF461AG引脚图与封装图
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在线购买ARF461AG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ARF461AG | Microsemi 美高森美 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | 搜索库存 |
替代型号ARF461AG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ARF461AG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 250000mW | 当前型号 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | 当前型号 |
| 型号： ARF461BG 品牌： 美高森美 封装： TO-247 | 类似代替 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | ARF461AG和ARF461BG的区别 |
| 型号： ARF461B 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | ARF461B 系列 N沟道 150 W 65 MHz 法兰安装 射频 功率 Mosfet - TO-247-3 | ARF461AG和ARF461B的区别 |
| 型号： ARF461A 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | ARF461AG和ARF461A的区别 |