APTGV30H60T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGV30H60T3G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 1.6nF @25V
额定功率Max 90 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 32
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGV30H60T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGV30H60T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGV30H60T3G | Microsemi 美高森美 | 全 - 桥NPT和沟道+场终止？ IGBT功率模块 Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop® IGBT Power module | 搜索库存 |