APTGT150DU170G

Microsemi(美高森美) 分立器件

双共源沟道+场截止IGBT功率模块 Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module

IGBT 模块沟槽型场截止双，共源 1700 V 250 A 890 W 底座安装 SP6

得捷:
IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 250A 890000mW 7-Pin Case SP-6

APTGT150DU170G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 13.5nF @25V

额定功率Max 890 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 890000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT150DU170G引脚图与封装图

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