APTGT75SK120D1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT75SK120D1G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5345nF @25V
额定功率Max 357 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 D1
外形尺寸
封装 D1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT75SK120D1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGT75SK120D1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT75SK120D1G | Microsemi 美高森美 | IGBT 1200V 110A 357W D1 | 搜索库存 |