APTGT100DA60TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT100DA60TG中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 6.1nF @25V
额定功率Max 340 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT100DA60TG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTGT100DA60TG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT100DA60TG | Microsemi 美高森美 | 升压斩波沟道+场截止IGBT功率模块 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module | 搜索库存 |