APTGT150A60TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT150A60TG中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 9.2nF @25V
额定功率Max 480 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT150A60TG引脚图与封装图
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