APTGT100DA120D1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

升压斩波沟道+场截止IGBT功率模块 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 150A 520W Chassis Mount D1

得捷:
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 520000mW 5-Pin Case D1

APTGT100DA120D1G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7nF @25V

额定功率Max 520 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 520000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 5

封装 D1

外形尺寸

封装 D1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT100DA120D1G引脚图与封装图

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