APTGF50DA120TG
Microsemi(美高森美)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.45nF @25V
额定功率Max 312 W
安装方式 Chassis
封装 SP-4
封装 SP-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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