APT15GN120KG

Microsemi(美高森美) 分立器件

IGBT 1200V 45A 195W TO220

IGBT 沟槽型场截止 1200 V 45 A 195 W 通孔 TO-220 [K]

得捷:
IGBT 1200V 45A 195W TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 195000mW 3-Pin3+Tab TO-220

APT15GN120KG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 45.0 A

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 195 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT15GN120KG引脚图与封装图

暂无图片

在线购买APT15GN120KG

型号	制造商	描述	购买
APT15GN120KG	Microsemi 美高森美	IGBT 1200V 45A 195W TO220	搜索库存