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AS4C512M8D3-12BINTR

AS4C512M8D3-12BINTR

数据手册.pdf

DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78Pin F-BGA T/R

SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA 9x10.5


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin F-BGA T/R


AS4C512M8D3-12BINTR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

AS4C512M8D3-12BINTR引脚图与封装图
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AS4C512M8D3-12BINTR Alliance Memory 联盟记忆 DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78Pin F-BGA T/R 搜索库存
替代型号AS4C512M8D3-12BINTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AS4C512M8D3-12BINTR

品牌: Alliance Memory 联盟记忆

封装: 78-TFBGA

当前型号

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当前型号

型号: AS4C512M8D3-12BIN

品牌: 联盟记忆

封装: 78-TFBGA

完全替代

DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78

AS4C512M8D3-12BINTR和AS4C512M8D3-12BIN的区别