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AS6C4008-55BINTR

AS6C4008-55BINTR

数据手册.pdf

SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 36Pin TF-BGA

SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 55 ns 36-TFBGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA


立创商城:
AS6C4008 55BINTR


贸泽:
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM


安富利:
512K X 8


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48


AS6C4008-55BINTR中文资料参数规格
技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

AS6C4008-55BINTR引脚图与封装图
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AS6C4008-55BINTR Alliance Memory 联盟记忆 SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 36Pin TF-BGA 搜索库存