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AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

数据手册.pdf

DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8M x 16 SDRAM

SDRAM 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 8M x 16 SDRAM


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


AS4C8M16S-7BCNTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AS4C8M16S-7BCNTR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AS4C8M16S-7BCNTR Alliance Memory 联盟记忆 DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8M x 16 SDRAM 搜索库存
替代型号AS4C8M16S-7BCNTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AS4C8M16S-7BCNTR

品牌: Alliance Memory 联盟记忆

封装: TFBGA-54

当前型号

DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8M x 16 SDRAM

当前型号

型号: AS4C8M16S-7BCN

品牌: 联盟记忆

封装: 54-TFBGA

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AS4C8M16S-7BCNTR和AS4C8M16S-7BCN的区别