AS6C2016-55BIN

Alliance Memory(联盟记忆) 电子元器件分类

SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48Pin TFBGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 55ns 48-TFBGA 6x8

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AS6C2016 55BIN

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IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA

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SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48-Pin TFBGA

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48

AS6C2016-55BIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AS6C2016-55BIN引脚图与封装图

AS6C2016-55BIN引脚图

AS6C2016-55BIN封装图

AS6C2016-55BIN封装焊盘图

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