AS6C2008-55BINTR

Alliance Memory(联盟记忆) 主动器件

静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

立创商城:
AS6C2008 55BINTR

贸泽:
静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

安富利:
256K X 8

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36

AS6C2008-55BINTR中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.3 V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

AS6C2008-55BINTR引脚图与封装图

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