AS6C1016-55BIN

Alliance Memory(联盟记忆) 主动器件

SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48Pin TFBGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 55ns 48-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA

贸泽:
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48

AS6C1016-55BIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

AS6C1016-55BIN引脚图与封装图

AS6C1016-55BIN引脚图

AS6C1016-55BIN封装图

AS6C1016-55BIN封装焊盘图

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