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AS6C1008-55BINTR

AS6C1008-55BINTR

数据手册.pdf

IC SRAM 1Mbit 55NS 36TFBGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36TFBGA


立创商城:
128Kbit 2.7V~5.5V


贸泽:
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36


AS6C1008-55BINTR中文资料参数规格
技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

AS6C1008-55BINTR引脚图与封装图
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AS6C1008-55BINTR Alliance Memory 联盟记忆 IC SRAM 1Mbit 55NS 36TFBGA 搜索库存