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AS4C4M16S-6BINTR

AS4C4M16S-6BINTR

数据手册.pdf

动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 166Mhz 4M x 16 S动态随机存取存储器

SDRAM Memory IC 64Mb 4M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 166Mhz 4M x 16 S动态随机存取存储器


安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


AS4C4M16S-6BINTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -45 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AS4C4M16S-6BINTR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AS4C4M16S-6BINTR Alliance Memory 联盟记忆 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 166Mhz 4M x 16 S动态随机存取存储器 搜索库存
替代型号AS4C4M16S-6BINTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AS4C4M16S-6BINTR

品牌: Alliance Memory 联盟记忆

封装: TSOP-54

当前型号

动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 166Mhz 4M x 16 S动态随机存取存储器

当前型号

型号: AS4C4M16S-6BIN

品牌: 联盟记忆

封装: 54-TFBGA

功能相似

DRAM 64Mb, 3.3V, 166MHz 4M x 16 SDRAM

AS4C4M16S-6BINTR和AS4C4M16S-6BIN的区别