ATF-531P8-BLK
数据手册.pdf
AVAGO Technologies
安华高科
主动器件
ATF-531P8-BLK中文资料参数规格
技术参数
额定电流 135 A
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 4.00 V
漏源击穿电压 7 V
栅源击穿电压 ±5 V
连续漏极电流Ids 300 mA
增益 20 dB
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LPCC-8
外形尺寸
封装 LPCC-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ATF-531P8-BLK引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ATF-531P8-BLK
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATF-531P8-BLK | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans JFET 7V 300mA 8Pin LPCC Bag | 搜索库存 |
替代型号ATF-531P8-BLK
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATF-531P8-BLK 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： LPCC 135A 1W | 当前型号 | Trans JFET 7V 300mA 8Pin LPCC Bag | 当前型号 |
| 型号： ATF-531P8-TR1G 品牌： 博通 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, MO-229, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, LPCC-8 | ATF-531P8-BLK和ATF-531P8-TR1G的区别 |