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ATF-54143-BLKG

ATF-54143-BLKG

数据手册.pdf
AVAGO Technologies 安华高科 主动器件
ATF-54143-BLKG中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

电源电压DC 3.00 V

额定电压DC 3.00 V

额定电流 120 mA

供电电流 60.0 mA

耗散功率 725 mW

漏源极电压Vds 3.00 V

连续漏极电流Ids 120 mA

输出功率 20.4 dBm

增益 16.6 dB

测试电流 60 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ATF-54143-BLKG引脚图与封装图
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在线购买ATF-54143-BLKG
型号 制造商 描述 购买
ATF-54143-BLKG AVAGO Technologies 安华高科 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage 搜索库存
替代型号ATF-54143-BLKG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ATF-54143-BLKG

品牌: AVAGO Technologies 安华高科

封装: SOT-343 3V 60A 725mW

当前型号

射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

当前型号

型号: ATF-54143-TR2G

品牌: 博通

封装: 725mW

类似代替

Trans FET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin3+Tab SOT-343 T/R

ATF-54143-BLKG和ATF-54143-TR2G的区别

型号: ATF-54143-TR1

品牌: 博通

封装:

类似代替

Trans FET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin3+Tab SOT-343 T/R

ATF-54143-BLKG和ATF-54143-TR1的区别

型号: ATF-54143-TR1G

品牌: 博通

封装: SOT-343 725mW

功能相似

BROADCOM LIMITED  ATF-54143-TR1G  晶体管, 射频FET, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

ATF-54143-BLKG和ATF-54143-TR1G的区别