AO3420
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AO3420中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 75 ns
正向电压Max 1 V
输入电容Ciss 630pF @10VVds
额定功率Max 1.4 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AO3420引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AO3420
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AO3420 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-236 N-CH 20V 6A | 当前型号 | N沟道,20V,6A,24mΩ@10V | 当前型号 |
| 型号： AO3420L 品牌： 万代半导体 封装： SOT23-3 | 类似代替 | MOSFETS N Channel 20V 6A SOT23-3 Halogen-Free | AO3420和AO3420L的区别 |
| 型号： SI2312CDS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TO-236 N-Channel 20V 6A 26.5mΩ | 功能相似 | SI2312CDS-T1-GE3 编带 | AO3420和SI2312CDS-T1-GE3的区别 |