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AO4449

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Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

P沟道,-30V,-7A,34mΩ@-10V

表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC


得捷:
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC


立创商城:
P沟道 30V 7A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; SO8


DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC


AO4449中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2 W

极性 P-CH

耗散功率 3.1W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 910pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AO4449引脚图与封装图
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