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AO3407
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

AO3407 编带

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.0405Ω @-4.1A,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -30V ID = -4.1 A RDSON < 52mΩ VGS = -10V RDSON < 87mΩ VGS = -4.5V 描述与应用| VDS(V)=-30V ID=-4.1 A RDS(ON) <52mΩ(VGS=-10V) RDS(ON) <87mΩ(VGS=-4.5V)


得捷:
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23


AO3407中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.1A

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 520pF @15VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4W Ta

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

AO3407引脚图与封装图
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