极性 N-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.8A
上升时间 1.5 ns
输入电容Ciss 270pF @15VVds
额定功率Max 1.4 W
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AO3418 品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装: TO-236-3 N-CH 30V 3.8A | 当前型号 | 30V,3.8A,N沟道MOSFET | 当前型号 | |
型号: AO3424 品牌: 万代半导体 封装: TO-236 N-CH 30V 3.8A | 完全替代 | 30V,3.8A,N沟道MOSFET | AO3418和AO3424的区别 | |
型号: NDS335N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23/SC-59 N-Channel 20V 1.7A 140mohms | 功能相似 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | AO3418和NDS335N的区别 | |
型号: CPH3448-TL-H 品牌: 安森美 封装: SC-96 N-CH 30V 4A | 功能相似 | 4A,30V,N沟道MOSFET | AO3418和CPH3448-TL-H的区别 |